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    產(chǎn)品分類 Products
    新聞資訊

    不同表面的金剛石薄膜上電荷的形成

    “鉆石恒久遠(yuǎn),一顆永流傳”,是我們熟悉的一句廣告語,也正是這句廣告語,讓鉆石成為婦孺皆知的名字;而鉆石,克拉級鉆石鉆戒動輒數(shù)以幾萬元計(jì),足以證明寶石級鉆石的珍貴。鉆石也可以叫做金剛石、金剛鉆。

    “沒有金剛鉆別攬瓷器活”,鉆石除了作為珠寶首飾,它的用途十分廣泛。比如玻璃切割、研磨、光刻技術(shù)、納米傳感器、高功率激光窗口等等。

    金剛石薄膜具有不同的晶態(tài)(單晶、微晶、納米晶和超納米晶),是許多醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)應(yīng)用的潛在候選者,如埋植劑的涂層,用于神經(jīng)元或生物傳感器活性部分的生長和研究的平臺。這與它們優(yōu)異的力學(xué)性能、高的化學(xué)惰性和生物相容性有關(guān)。

    化學(xué)氣相沉積(CVD)制備的金剛石薄膜是端氫的。這導(dǎo)致了一定程度的疏水性,這是觀察到化學(xué)惰性的原因。因此,進(jìn)一步增加親水性或增加化學(xué)活性需要進(jìn)行表面改性。通過等離子體處理和光化學(xué)方法實(shí)現(xiàn)-OH或-NH2基團(tuán)的表面功能化。另一方面,等離子體氟化甚至?xí)黾颖砻娴氖杷浴eta電位用來評價(jià)功能化程度,它反映了表面-水界面的電荷形成。

    用zeta電位探測表面

    zeta電位描述了在水溶液中,當(dāng)親水表面的官能團(tuán)分散或氫氧根離子吸附在疏水表面上時(shí)產(chǎn)生的某一表面電荷。通過改變pH值,離解和吸附平衡就會受到影響,從而可以評價(jià)表面的化學(xué)性質(zhì)。

    通過測量流動電勢,可以獲得宏觀表面的zeta電位。平面樣品相對排列,形成一個固定的通道(圖1)。在測量過程中,施加壓力梯度,液體流經(jīng)通道。作為對固液界面上電荷補(bǔ)償離子位移的電響應(yīng),產(chǎn)生流動電勢(或流電流)并用于計(jì)算zeta電位。

    圖1:流動電勢測量示意圖

    超納米晶金剛石薄膜

    利用微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在硅片上合成了超納米晶金剛石薄膜(UNCD)。氣體前體混合物包含17%的CH4-N2混氣,工作壓力保持在30 mbar,襯底溫度保持在560 °C左右,微波功率保持在800 W。沉積6 h后,得到厚度為1.5 μm的UNCD層。層的表面相對光滑,rms粗糙度約為12-14 nm。

    為了使UNCD表面高度親水性或增加樣品的疏水性,分別用200 W的O2等離子體和50 W的SF6等離子體進(jìn)行5 s的等離子體改性。**次改性形成了接觸角< 10°的端氧表面,后者產(chǎn)生了接觸角> 110°的端氟表面。

    表面電荷分析

    研究了三種不同表面終端的UNCD樣品:未處理的端氫表面和分別在SF6等離子體和O2等離子體中處理的表面。樣品放置在測量單元中,使相對的表面形成約100 μm的距離。通過測得的壓力下降來調(diào)整間隙寬度。電解液為1mmol /L的氯化鉀溶液。pH值在pH 9.5和pH 3.0之間,從基本范圍開始。使用包括一個內(nèi)置滴定單元的安東帕SurPASSTM3進(jìn)行測量。分別用0.05 M鹽酸和0.05 M氫氧化鈉進(jìn)行自動pH調(diào)節(jié)。

    圖2的結(jié)果顯示,在酸性范圍的zeta電位明顯增加。在基本范圍內(nèi),所有表面的zeta電位在pH值高于8.5時(shí)保持為負(fù),幾乎不變。在這一點(diǎn)上,在表面-水界面發(fā)生飽和,因此對于較高的pH值,預(yù)計(jì)不會有進(jìn)一步的變化。pH 4.2(未處理的UNCD)、pH 3.8 (O2等離子處理的UNCD)和pH 3.2 (SF6等離子處理的UNCD) 時(shí)zeta電位為0,即其等電點(diǎn)(IEP)。這些值符合Voss等(4)報(bào)告的數(shù)據(jù)。

    從zeta電位測量的結(jié)果可以觀察到樣品表面的電荷性質(zhì)。這一信息對于研究與具有一定凈電荷的生物分子的相互作用很重要,例如酵素。基于zeta電位,可以預(yù)測可能的排斥或吸引,從而闡明在UNCD表面上的固定化機(jī)制。

    圖2:Si晶片上經(jīng)過O2等離子體處理和SF6等離子體處理的UNCD薄膜的Zeta電位與pH的關(guān)系

    表1:圖2中未處理和等離子體處理后的UNCD表面zeta電位分析的關(guān)鍵指標(biāo)

    靈敏的流動電勢測量技術(shù)是**用于監(jiān)測表面活化等離子體處理或沉積方法,并確定各種表面終端或污染的技術(shù)

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